三井化学、次世代EUV露光用CNTペリクルの生産設備を設置

社会課題解決に欠かせないICT技術、とりわけ第５世代移動通信システム（5G）上のAI・IoT・ビッグデータの活用は今後ますます加速し、社会全体のデジタル化が進んでいます。これらのデータ処理を担う半導体には高速処理能力化、低消費電力化が求められ、回路線幅7nm以下の超微細化ニーズが高まっており、微細化回路形成用のEUV（波長13.5nmの極端紫外線）露光技術の採用が本格的に拡大しています。

当社はオランダASML社からEUV露光用ペリクル事業のライセンスを受け、2021年に世界に先駆けてEUVペリクルの商業生産を当社岩国大竹工場で開始し、拡大する先端半導体需要に対応しています。

採用が拡大しているEUV露光の次世代技術として、高NA（開口度0.55）、高出力（≧600W）化が求められています。これらの露光技術を実現するためには、過酷な露光環境に耐えられる新たな素材のペリクルが必要とされています。

当社はこれらの露光技術革新に対応すべく、高いEUV透過性（≧92%）と1kWを超える露光出力への耐光性を兼ね備えたCNTペリクルの事業化に向けた量産用設備を設置することを決定しました。

膜材にシリコン系素材を使用した既存のEUVペリクルに加えて、CNTを膜材に使用した次世代製品をラインナップすることで、半導体の高性能化と生産性向上に貢献してまいります。